IRF8513PBF
Produktcode: 26536
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 08.11.2015
Rds(on), Ohm: 0.0155
Ciss, pF/Qg, nC: 07.05.766
Bem.: 2N Halbbrucke
JHGF: SMD
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF8513PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/11A 8-Pin SOIC |
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IRF8513PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W, 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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IRF8513PBF | Hersteller : Infineon / IR | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC |
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