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IRF820PBF

IRF820PBF Vishay

91059.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF820PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : VISHAY IRF820PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : VISHAY IRF820PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91059.pdf MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820PBF 91059.pdf IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRF820PBF IRF820PBF Hersteller : Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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