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IRF820APBF VISHAY
![IRF820A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
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132+ | 0.54 EUR |
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Technische Details IRF820APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IRF820APBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF820APBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.6A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820APBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |