IRF7855TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7855TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRF7855TRPBF nach Preis ab 0.98 EUR bis 10.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg |
auf Bestellung 47393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 14035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon |
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7855TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7855TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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