IRF7842TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7842TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote IRF7842TRPBF nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
auf Bestellung 22719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg |
auf Bestellung 11679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7842TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
SO-8 |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7842TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7842TRPBF Produktcode: 113287 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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