Technische Details IRF7809AV IOR
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF7809AV | Hersteller : IR |
auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7809AV | Hersteller : IR | 05+ SOP-8; |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7809AV | Hersteller : IR | 09+ |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7809AV | Hersteller : IR | SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7809AV | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7809AV | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V |
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