IRF7748L1TRPBF INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7748L1TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: DirectFET L6, Anzahl der Pins: 13Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF7748L1TRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7748L1TRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|
|
IRF7748L1TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 3233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
IRF7748L1TRPBF Produktcode: 130779 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||
 |
IRF7748L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IRF7748L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IRF7748L1TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7748L1TRPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
IRF7748L1TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |