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IRF7509TRPBF Infineon Technologies
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Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8000+ | 0.46 EUR |
12000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details IRF7509TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7509TRPBF nach Preis ab 0.47 EUR bis 6.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active |
auf Bestellung 50363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7509TRPBF Produktcode: 32320 |
Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: Micro-8 Uds,V: 30 Idd,A: 2.7; -2 Rds(on), Ohm: 0.11; 0,2 Bem.: N and P channel JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11/0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7509TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2A; 1.25W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11/0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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