IRF7424TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7424TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7424TRPBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC |
auf Bestellung 12462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 33257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7424TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
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IRF7424TRPBF Produktcode: 54104 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF7424TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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