IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
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Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF7413ZTRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
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IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs Y |
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