IRF7410TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7410TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7410TRPBF nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC |
auf Bestellung 18527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -16A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7410TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -16A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
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