IRF740 HXY MOSFET
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Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
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Technische Details IRF740 HXY MOSFET
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Möglichen Substitutionen IRF740 HXY MOSFET
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRF740PBF Produktcode: 24032 |
Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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Weitere Produktangebote IRF740 nach Preis ab 1.97 EUR bis 4.06 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IRF740 | Hersteller : Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740 | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740 Produktcode: 18286 |
Hersteller : IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 JHGF: THT |
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IRF740 | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF740 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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IRF740 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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IRF740 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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IRF740 | Hersteller : STMicroelectronics |
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IRF740 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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