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IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Produktcode: 25148
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Bem.: HalbbruckeN+P (5,3A)
JHGF: SMD
verfügbar 129 Stück:
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Technische Details IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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4000+ 0.58 EUR
16000+ 0.54 EUR
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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10+ 1.37 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.72 EUR
2000+ 0.69 EUR
8000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 371 Stücke:
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389PBF Hersteller : IR irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
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10+ 2.64 EUR
100+ 2.4 EUR
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7389.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7389PBF IRF7389PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076		 irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2292 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.09 EUR
10+ 0.08 EUR
330uF 25V EXR 8x14mm (EXR331M25B-Hitano)
Produktcode: 10723		 EXR_080421.pdf
330uF 25V EXR 8x14mm (EXR331M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 6682 Stück
erwartet: 102 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.051 EUR
IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596		 irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 4763 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.13 EUR
10+ 0.11 EUR
100+ 0.1 EUR
AP4525GEH
Produktcode: 36912		 AP4525GEH.pdf
AP4525GEH
Hersteller: Advanced
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252-4L
Uds,V: 40
Idd,A: 12 А
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
verfügbar: 47 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.8 EUR
10+ 0.72 EUR
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 21086 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50000 Stück:
50000 Stück - erwartet 20.07.2024