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IRF7343PBF

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Produktcode: 32395
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
verfügbar 184 Stück:
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IRF7343PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Транзистор польовий N+P; Udss, В = 55; Id = 4,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3,4 А; SOICN-8
auf Bestellung 65 Stücke:
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IRF7343PBF irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 IRF7343PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1043 Stücke:
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IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N Tube
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IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-3166042.pdf MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7343PBF IRF7343PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7343.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/26nC
Kind of channel: enhanced
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2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271		 2n7002-datasheet.pdf
2N7002(Transistor)
Hersteller: Hottech
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD
auf Bestellung 7361 Stück:
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220 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4609		 RC_series.pdf
220 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 18939 Stück
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1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 51184
1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 1,0 Ohm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1807 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735		 yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 33922 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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80000 Stück - erwartet 01.09.2024
USBB-1J (KLS1-151-W)
Produktcode: 63039
USBB-1J (KLS1-151-W)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: Steckdose USB Typ B auf Platte
Typ: USB
Stecker/Steckdose: Steckdose
№ 5: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
verfügbar: 1142 Stück
52 Stück - stock Köln
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erwartet: 2000 Stück
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