IRF7341PBF Infineon
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Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
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Technische Details IRF7341PBF Infineon
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Weitere Produktangebote IRF7341PBF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF7341PBF Produktcode: 26458 |
Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 55 Idd,A: 04.07.2015 Rds(on), Ohm: 0.050 Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Bem.: 2N JHGF: SMD |
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IRF7341PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
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IRF7341PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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