![IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6d710c8a21a44c0fe16e262d0ca629474d2326c8/8-lead-soic.jpg)
IRF7316TRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
231+ | 0.66 EUR |
232+ | 0.64 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
4000+ | 0.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7316TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: 0, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7316TRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 42208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
![]() |
auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF |
![]() |
auf Bestellung 3768 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |