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IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: 0, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN-3363332.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
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4000+ 0.67 EUR
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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2000+ 0.67 EUR
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 0
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14600 Stücke:
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 0
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7316TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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10+ 0.81 EUR
100+ 0.71 EUR
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IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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