IRF7311TR UMW
Hersteller: UMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 100+ | 0.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7311TR UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote IRF7311TR nach Preis ab 1.69 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7311TR | Hersteller : International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||
| IRF7311TR | Hersteller : IOR |
03+ |
auf Bestellung 5449 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||
| IRF7311TR | Hersteller : IR |
SOP-16 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||
| IRF7311TR | Hersteller : IRC |
07+; |
auf Bestellung 184000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||
 |
IRF7311TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |