![IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SO_8_t.jpg)
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Technische Details IRF7304TRPBF Infineon / IR
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF7304TRPBF nach Preis ab 0.69 EUR bis 6.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
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IRF7304TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.3A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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