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IRF7241TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7241TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7241TRPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7241TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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