IRF7240TRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.83 EUR |
8000+ | 0.75 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF7240TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7240TRPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 3.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -10.5A 15mOhm 73nC |
auf Bestellung 14039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |