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IRF7105PBF

IRF7105PBF

irf7105pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113418
Hersteller: IR
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 55 Stück:
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Technische Details IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7105PBF IRF7105PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7105.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4/10nC
Kind of channel: enhanced
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