IRF6727MTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4800+ | 1.65 EUR |
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Technische Details IRF6727MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF6727MTRPBF nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC |
auf Bestellung 14624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF6727MTRPBF Produktcode: 204365 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6727MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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