IRF6717MTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4800+ | 1.94 EUR |
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Technische Details IRF6717MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRF6717MTRPBF nach Preis ab 1.94 EUR bis 5.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC |
auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF6717MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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