Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6668TRPBF
IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

irf6668.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IRF6668TRPBF nach Preis ab 1.04 EUR bis 4.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4800+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+1.45 EUR
102+ 1.39 EUR
200+ 1.3 EUR
1000+ 1.25 EUR
2000+ 1.2 EUR
4800+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
auf Bestellung 59676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
318+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 318
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+1.92 EUR
84+ 1.74 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.12 EUR
2500+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+1.92 EUR
84+ 1.74 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.12 EUR
2500+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+2.75 EUR
63+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.87 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 2.08 EUR
250+ 2.06 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.44 EUR
4800+ 1.39 EUR
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.08 EUR
56+ 2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+3.17 EUR
53+ 2.76 EUR
55+ 2.57 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.85 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.14 EUR
3000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+3.17 EUR
53+ 2.76 EUR
55+ 2.57 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.85 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.14 EUR
3000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
auf Bestellung 7228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.51 EUR
10+ 2.91 EUR
100+ 2 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.49 EUR
2000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6668TRPBF - IRF6668 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 59676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar