IRF6644TRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
103+ | 1.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF6644TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF6644TRPBF nach Preis ab 1.53 EUR bis 5.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 33600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 33600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 4697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 4697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 3916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRF6644TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |