IRF640PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRF640PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRF640PBF nach Preis ab 0.62 EUR bis 4.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2179 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 6749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 6760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V N-CH MOSFET TO220IDF |
auf Bestellung 6758 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 2156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 6760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 18372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220 |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF Produktcode: 22635 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.18 JHGF: THT ZCODE: 8541290090 |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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