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IRF6216PBF

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Produktcode: 20309
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 150
Id,A: 2.2
Rds(on),Om: 0.24
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
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IRF6216PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7 P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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IRF6216PBF IRF6216PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6216-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
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IRF6216PBF IRF6216PBF Hersteller : Infineon Technologies irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7 Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
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IRF6216PBF IRF6216PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF6216_DataSheet_v01_01_EN-3166024.pdf MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC
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Hersteller: ST
IC > IC Speicher
Gehäuse: SOIC-8
Beschreibung: EEPROM SERIAL I2C 16K(2KX8)
Strom.V: 1,8...5,5V
T°C: -40...+85°C
6: EEPROM
7: 16 кбіт
Інтерфейс: I2C
auf Bestellung 101 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.29 EUR
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