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IRF620SPBF Vishay Siliconix
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Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 471 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 2.56 EUR |
100+ | 2.11 EUR |
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Technische Details IRF620SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IRF620SPBF nach Preis ab 1.41 EUR bis 3.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF620SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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IRF620SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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IRF620SPBF | Hersteller : Vishay |
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IRF620SPBF | Hersteller : Vishay |
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IRF620SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF620SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A |
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