IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 363A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF60SC241ARMA1 nach Preis ab 3.13 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 388 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 388 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF60SC241ARMA1 - IRF60SC241 - TRENCH 40 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
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IRF60SC241ARMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 363A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |