IRF60DM206 Infineon Technologies
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10+ | 3.8 EUR |
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100+ | 3.1 EUR |
250+ | 2.9 EUR |
500+ | 2.64 EUR |
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Technische Details IRF60DM206 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ME, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF60DM206
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF60DM206 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
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