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IRF5851

IRF5851

irf5851-datasheet.pdf
Produktcode: 23586
Hersteller: IR
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.04.400
Bem.: N+P
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF5851 IRF5851 Hersteller : Infineon Technologies irf5851.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
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IRF5851 IRF5851 Hersteller : Infineon / IR irf5851.pdf MOSFET
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