IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 9373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 1.33 EUR |
| 1600+ | 1.08 EUR |
| 2400+ | 1.02 EUR |
| 5600+ | 0.97 EUR |
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Technische Details IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF540NSTRLPBF nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
auf Bestellung 13083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
TO263 (D2PAK) |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540NSTRLPBF |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы |
auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |