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IRF530S

IRF530S Vishay

sihf530s.pdf
Produktcode: 53545
Hersteller: Vishay
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
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IRF530S Hersteller : Siliconix sihf530s.pdf N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
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IRF530S IRF530S Hersteller : Vishay Siliconix sihf530s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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IRF530S IRF530S Hersteller : Vishay / Siliconix sihf530s.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF530SPBF
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Produktcode: 27906		 KX-3H.pdf
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Hersteller: Geyer/Strong
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: HC-49/S-Kahn (ATS-49/U)
Typ: Quarz Resonator
30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
№ 7: 8541600000
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№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
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Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
auf Bestellung 4242 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 4x7mm
Lebensdauer: 4х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 6883 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
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