IRF4905STRRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 1.97 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF4905STRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF4905STRRPBF nach Preis ab 4.33 EUR bis 4.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4905STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
 |
IRF4905STRRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||
|
IRF4905STRRPBF Produktcode: 176581
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||
 |
IRF4905STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
| IRF4905STRRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Pulsed drain current: -280A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
|
|
IRF4905STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
 |
IRF4905STRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
| IRF4905STRRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Pulsed drain current: -280A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |