IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF3710ZSTRLPBF nach Preis ab 1.21 EUR bis 4.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF3710ZSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® |
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