IRF300P226 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 15+ | 10.86 EUR |
| 25+ | 10.02 EUR |
| 50+ | 9.28 EUR |
| 100+ | 8.62 EUR |
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Technische Details IRF300P226 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF300P226 nach Preis ab 8.26 EUR bis 16.97 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF300P226 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF300P226 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRF300P226 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Case: TO247AC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 313W Gate charge: 191nC Technology: StrongIRFET™ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Drain current: 53A On-state resistance: 19mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF300P226 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Case: TO247AC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 313W Gate charge: 191nC Technology: StrongIRFET™ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Drain current: 53A On-state resistance: 19mΩ |
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