IRF2805PBF Infineon Technologies
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| 93+ | 1.64 EUR |
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Technische Details IRF2805PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF2805PBF nach Preis ab 1.17 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2805PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF2805PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF2805PBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2805PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB |
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IRF2805PBF Produktcode: 186509 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF2805PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |