IRF2204SPBF

IRF2204SPBF Infineon Technologies


infineon-irf2204s-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Technische Details IRF2204SPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.

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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2204s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2204spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db5e2218d8 Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS11462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2204SPBF - IRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF
Produktcode: 119472
irf2204spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db5e2218d8 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2204s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2204spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db5e2218d8 Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
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IRF2204SPBF IRF2204SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2204S_DataSheet_v01_01_EN-1732438.pdf MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC
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