IRF1324PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1324PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V.
Weitere Produktangebote IRF1324PBF nach Preis ab 1.61 EUR bis 5.33 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF1324PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V |
auf Bestellung 4622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1324PBF - IRF1324 - 195A, 24V, 0.0015OHM, N-CHANEL tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF Produktcode: 94346 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 24 V Idd,A: 249 A Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |