IRF1010EZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1010EZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF1010EZPBF nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.01 EUR
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |