IR21531SPBF Infineon Technologies
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Technische Details IR21531SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR21531SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, Halbbrücke, 15.6V Z-Diodenklemmschaltung an Vcc, 10V-16.8V Versorgung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 16.8V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: 660ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IR21531SPBF nach Preis ab 2.37 EUR bis 7.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IR21531SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V Input Type: RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
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IR21531SPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IR21531SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, Halbbrücke, 15.6V Z-Diodenklemmschaltung an Vcc, 10V-16.8V Versorgung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 16.8V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 660ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IR21531SPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = самоосцилюючий; Io = 250 мА; Umax, B = 600; Конфіг = 2 виходи, 1 конфігурація; напівмостовий; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
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| IR21531SPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IR21531SPBF - IR21531S - GATE DRIVER tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IR21531SPBF Produktcode: 37628 |
IC > IC Transistoren-Treiber |
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IR21531SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR21531SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR21531SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR21531SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Number of channels: 2 Type of integrated circuit: driver Turn-off time: 40ns Turn-on time: 80ns Supply voltage: 10...15.6V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Kind of package: tube Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IR21531SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Number of channels: 2 Type of integrated circuit: driver Turn-off time: 40ns Turn-on time: 80ns Supply voltage: 10...15.6V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Kind of package: tube Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 600V |
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