IR2011S International Rectifier
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High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 200V; Io+/Io- 1A/1A; tON/OFF 80/60ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2011S; IR2011STR; IR2011S UIIR2011s
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 4.19 EUR |
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Technische Details IR2011S International Rectifier
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IR2011S | Hersteller : IOR |
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IR2011S | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 15523 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IR2011S | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IR2011S | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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