IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 4.61 EUR |
10+ | 3.16 EUR |
100+ | 2.29 EUR |
500+ | 1.91 EUR |
1000+ | 1.87 EUR |
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Technische Details IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TTFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IQE030N06NM5CGATMA1 nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.17 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IQE030N06NM5CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs N |
auf Bestellung 4873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQE030N06NM5CGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE030N06NM5CGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TTFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IQE030N06NM5CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP005399428 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IQE030N06NM5CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V |
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