IQDH45N04LM6ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V

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Technische Details IQDH45N04LM6ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IQDH45N04LM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	auf Bestellung 4705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 6.09 EUR 10+  5.11 EUR 100+  4.14 EUR 500+  3.68 EUR 1000+  3.15 EUR 2000+  2.96 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IQDH45N04LM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQDH45N04LM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen