IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 5.98 EUR |
10+ | 5.38 EUR |
25+ | 5.08 EUR |
100+ | 4.41 EUR |
250+ | 4.18 EUR |
500+ | 3.75 EUR |
1000+ | 3.16 EUR |
2500+ | 3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pins, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IQD005N04NM6CGATMA1 nach Preis ab 3.2 EUR bis 6.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs N |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pins Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IQD005N04NM6CGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |