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IPZA60R016CM8XKSA1

IPZA60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
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Technische Details IPZA60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPZA60R016CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 521W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V.

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IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R016CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445921.pdf SiC MOSFETs Y
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