IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon
Produktcode: 105297
Hersteller: InfineonUds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
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IPU80R2K8CEBKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R2K8CEBKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
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IPU80R2K8CEBKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STTH3R06S Produktcode: 41627 |
|
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMC/DO-214AB
Vrr, V: 600
Iav, A: 3
Trr, ns: 35
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMC/DO-214AB
Vrr, V: 600
Iav, A: 3
Trr, ns: 35
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| HER307 Produktcode: 30484 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
auf Bestellung 262 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.08 EUR |
| 10+ | 0.07 EUR |
| 100+ | 0.062 EUR |
| BZV55-C16 Produktcode: 19144 |
|
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 1935 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 4,7 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 4784 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 10388 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.0042 EUR |
| 100+ | 0.0036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |
| 470 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 4283 |
|
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 28355 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.0042 EUR |
| 100+ | 0.0036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |