IPTG025N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

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Technische Details IPTG025N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

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	IPTG025N08NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 184A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 150A 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V	auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 7.48 EUR 10+  4.96 EUR 100+  3.53 EUR 500+  2.91 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
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