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IPTC019N10NM5ATMA1

IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTC019N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4fde687225b Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
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Technische Details IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 279A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPTC019N10NM5ATMA1 IPTC019N10NM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPTC019N10NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362714.pdf MOSFETs N
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IPTC019N10NM5ATMA1 IPTC019N10NM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPTC019N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4fde687225b Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
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IPTC019N10NM5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3328482.pdf Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 279A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPTC019N10NM5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3328482.pdf Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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