IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R

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Technische Details IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPTC012N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R	auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 28+ 5.46 EUR 31+  4.8 EUR 32+  4.5 EUR 50+  4.33 EUR 100+  3.72 EUR 250+  3.49 EUR 500+  3.13 EUR 1000+  2.96 EUR Mindestbestellmenge: 28 kaufen
	IPTC012N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V	auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 8.4 EUR 10+  7.06 EUR 100+  5.71 EUR 500+  5.08 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IPTC012N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 8.52 EUR 10+  7.15 EUR 25+  6.74 EUR 100+  5.77 EUR 250+  5.47 EUR 500+  5.14 EUR 1000+  4.4 EUR kaufen
	IPTC012N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPTC012N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen